栅极介电层的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03138552.4

申请日：

2003-05-27

公开(公告)号：

CN1272833C

公开(公告)日：

2004-12-08

发明(设计)人：

聂俊峰陈宪伟郑丰绪陈振隆周顺田

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学园区

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王一斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-05-04	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:矽统科技股份有限公司变更后权利人:联华电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:台湾省新竹科学园区变更后权利人:台湾省新竹科学园区登记生效日:20050408
2004-12-08	公开	公开
2006-08-30	授权	授权

共 50 条

[1]

制作栅极介电层的方法 [P].

刘传玺 ;

林秀珊 ;

林于尹 ;

潘同明 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN1312737C ,2003-03-12

[2]

栅极介电层的制作方法 [P].

苏国辉 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102760655A ,2012-10-31

[3]

制作双层栅极介电层的方法 [P].

郑博伦 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1825547A ,2006-08-30

[4]

制作栅极介电层的方法 [P].

骆统 ;

林经祥 ;

黄耀林 .

中国专利 :CN1157770C ,2003-03-05

[5]

多重栅极介电层的结构 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2751446Y ,2006-01-11

[6]

栅极介电层的制造方法 [P].

余谟群 ;

林学仕 .

中国专利 :CN1282223C ,2003-12-03

[7]

形成栅极介电层的方法 [P].

尹哲镇 .

中国专利 :CN100477167C ,2007-06-20

[8]

具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法 [P].

邱显光 ;

彭宝庆 ;

陶宏远 .

中国专利 :CN1577748A ,2005-02-09

[9]

栅极介电层的制备方法及栅极结构的制备方法 [P].

苏国辉 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102760701A ,2012-10-31

[10]

栅极介电层保护 [P].

森胁义和 .

中国专利 :CN115084136A ,2022-09-20

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