栅极介电层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02120226.5

申请日：

2002-05-20

公开(公告)号：

CN1282223C

公开(公告)日：

2003-12-03

发明(设计)人：

余谟群林学仕

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路121号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王学强

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-07	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20020520 授权公告日:20061025
2003-12-03	公开	公开
2005-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-10-25	授权	授权

共 50 条

[1]

制造栅极介电层的方法 [P].

李威养 ;

于雄飞 ;

李达元 ;

许光源 .

中国专利 :CN102738221A ,2012-10-17

[2]

闸栅极介电层的制造方法 [P].

李威养 ;

于雄飞 ;

陈建豪 ;

侯承浩 ;

李达元 ;

许光源 .

中国专利 :CN102222611A ,2011-10-19

[3]

制作栅极介电层的方法 [P].

刘传玺 ;

林秀珊 ;

林于尹 ;

潘同明 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN1312737C ,2003-03-12

[4]

栅极介电层的制作方法 [P].

聂俊峰 ;

陈宪伟 ;

郑丰绪 ;

陈振隆 ;

周顺田 .

中国专利 :CN1272833C ,2004-12-08

[5]

制作双层栅极介电层的方法 [P].

郑博伦 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1825547A ,2006-08-30

[6]

多重栅极介电层的结构 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2751446Y ,2006-01-11

[7]

制作栅极介电层的方法 [P].

骆统 ;

林经祥 ;

黄耀林 .

中国专利 :CN1157770C ,2003-03-05

[8]

形成栅极介电层的方法 [P].

尹哲镇 .

中国专利 :CN100477167C ,2007-06-20

[9]

栅极介电层保护 [P].

M·G·普拉布 ;

M·I·纳塔拉延 ;

赖大伟 ;

单毅 .

中国专利 :CN104183595B ,2014-12-03

[10]

栅极介电层保护 [P].

森胁义和 .

中国专利 :CN115084136A ,2022-09-20

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