形成介电薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01815753.X

申请日：

2001-09-19

公开(公告)号：

CN1459126A

公开(公告)日：

2003-11-26

发明(设计)人：

萨吉·利维罗宾·S·布卢姆阿瓦沙伊·凯普坦

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21469

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

巫肖南;封新琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-11-26	公开	公开
2007-10-10	授权	授权
2013-11-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101539123536 IPC(主分类):H01L 21/31 专利号:ZL01815753X 申请日:20010919 授权公告日:20071010 终止日期:20120919

共 50 条

[1]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN100442454C ,2005-07-13

[2]

介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及介电薄膜 [P].

藤井顺 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN103193477B ,2013-07-10

[3]

形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜 [P].

渡边敏昭 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 ;

纪尧姆·盖冈 .

中国专利 :CN103177797A ,2013-06-26

[4]

介电薄膜形成组合物，形成介电薄膜的方法和由该方法所形成的介电薄膜 [P].

G.古伊甘 ;

渡边敏昭 ;

曾山信幸 ;

樱井英章 .

中国专利 :CN102436866A ,2012-05-02

[5]

介电薄膜的形成方法 [P].

储江 .

中国专利 :CN110896050A ,2020-03-20

[6]

低介电常数的介电薄膜的形成方法 [P].

林耕竹 ;

周家政 ;

叶明灵 .

中国专利 :CN101060079A ,2007-10-24

[7]

介电薄膜形成用组合物及介电薄膜的形成方法 [P].

藤井顺 ;

渡边敏昭 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN103964838A ,2014-08-06

[8]

形成栅极介电层的方法 [P].

尹哲镇 .

中国专利 :CN100477167C ,2007-06-20

[9]

形成纳米多孔介电薄膜的方法 [P].

J·Q·牛 ;

J·L·哈恩费尔德 ;

J·W·莱昂斯 ;

J·H·塞东 ;

C·H·西尔维斯 .

中国专利 :CN1968998A ,2007-05-23

[10]

形成无氢含硅介电薄膜的方法 [P].

崔寿永 .

中国专利 :CN103098185A ,2013-05-08

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