介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及介电薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210003035.1

申请日：

2012-01-06

公开(公告)号：

CN103193477B

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

藤井顺樱井英章曽山信幸

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35465 C04B35622 H01G414

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

康泉;王珍仙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596330009 IPC(主分类):C04B 35/462 专利申请号:2012100030351 申请日:20120106
2020-12-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/462 申请日:20120106 授权公告日:20160316 终止日期:20200106
2016-03-16	授权	授权
2013-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

介电薄膜形成组合物，形成介电薄膜的方法和由该方法所形成的介电薄膜 [P].

G.古伊甘 ;

渡边敏昭 ;

曾山信幸 ;

樱井英章 .

中国专利 :CN102436866A ,2012-05-02

[2]

介电薄膜形成用组合物及介电薄膜的形成方法 [P].

藤井顺 ;

渡边敏昭 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN103964838A ,2014-08-06

[3]

形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜 [P].

渡边敏昭 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 ;

纪尧姆·盖冈 .

中国专利 :CN103177797A ,2013-06-26

[4]

铁电薄膜形成用组合物、铁电薄膜的形成方法及铁电薄膜 [P].

藤井顺 ;

桜井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN102219507B ,2011-10-19

[5]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN100442454C ,2005-07-13

[6]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN1459126A ,2003-11-26

[7]

介电薄膜的形成方法 [P].

储江 .

中国专利 :CN110896050A ,2020-03-20

[8]

介电薄膜用组合物、使用其的金属氧化物介电薄膜及制法 [P].

宣钟白 ;

郑铉潭 ;

李相润 .

中国专利 :CN101154588A ,2008-04-02

[9]

介电薄膜及介电层结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207353258U ,2018-05-11

[10]

介电层以及形成此介电层之组合物及方法 [P].

林蔚伶 ;

林鹏 ;

胡堂祥 ;

陈良湘 .

中国专利 :CN101009223A ,2007-08-01

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