形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210552098.2

申请日：

2012-12-18

公开(公告)号：

CN103177797A

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

渡边敏昭樱井英章曽山信幸纪尧姆·盖冈

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01B302

IPC分类号：

H01B1900

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

康泉;王珍仙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-26	公开	公开
2020-07-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01B 3/02 登记生效日:20200709 变更事项:专利权人变更前权利人:三菱综合材料株式会社变更后权利人:三菱综合材料株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京变更事项:共同专利权人变更前权利人:意法半导体公司
2017-10-10	授权	授权
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595570627 IPC(主分类):H01B 3/02 专利申请号:2012105520982 申请日:20121218

共 50 条

[1]

介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及介电薄膜 [P].

藤井顺 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN103193477B ,2013-07-10

[2]

介电薄膜形成组合物，形成介电薄膜的方法和由该方法所形成的介电薄膜 [P].

G.古伊甘 ;

渡边敏昭 ;

曾山信幸 ;

樱井英章 .

中国专利 :CN102436866A ,2012-05-02

[3]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN100442454C ,2005-07-13

[4]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN1459126A ,2003-11-26

[5]

介电薄膜形成用组合物及介电薄膜的形成方法 [P].

藤井顺 ;

渡边敏昭 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN103964838A ,2014-08-06

[6]

介电薄膜的形成方法 [P].

储江 .

中国专利 :CN110896050A ,2020-03-20

[7]

形成纳米多孔介电薄膜的方法 [P].

J·Q·牛 ;

J·L·哈恩费尔德 ;

J·W·莱昂斯 ;

J·H·塞东 ;

C·H·西尔维斯 .

中国专利 :CN1968998A ,2007-05-23

[8]

铁电薄膜形成用组合物、铁电薄膜的形成方法及铁电薄膜 [P].

藤井顺 ;

桜井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN102219507B ,2011-10-19

[9]

形成无氢含硅介电薄膜的方法 [P].

崔寿永 .

中国专利 :CN103098185A ,2013-05-08

[10]

介电薄膜用组合物、使用其的金属氧化物介电薄膜及制法 [P].

宣钟白 ;

郑铉潭 ;

李相润 .

中国专利 :CN101154588A ,2008-04-02

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