形成无氢含硅介电薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180044023.7

申请日：

2011-08-09

公开(公告)号：

CN103098185A

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

崔寿永

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21314

IPC分类号：

H01L21205 H01L29786

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

胡林岭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-08	公开	公开
2017-02-08	授权	授权
2019-07-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/314 申请日:20110809 授权公告日:20170208 终止日期:20180809
2013-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101520930625 IPC(主分类):H01L 21/314 专利申请号:2011800440237 申请日:20110809

共 50 条

[1]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN100442454C ,2005-07-13

[2]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN1459126A ,2003-11-26

[3]

介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及介电薄膜 [P].

藤井顺 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN103193477B ,2013-07-10

[4]

形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜 [P].

渡边敏昭 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 ;

纪尧姆·盖冈 .

中国专利 :CN103177797A ,2013-06-26

[5]

介电薄膜形成组合物，形成介电薄膜的方法和由该方法所形成的介电薄膜 [P].

G.古伊甘 ;

渡边敏昭 ;

曾山信幸 ;

樱井英章 .

中国专利 :CN102436866A ,2012-05-02

[6]

有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法 [P].

倪伶俐 ;

刘永涛 ;

谢涛 ;

徐敏华 ;

程至天 ;

蔡鹏 ;

高晓燕 ;

冯良东 ;

张世忠 .

中国专利 :CN109233294B ,2019-01-18

[7]

介电薄膜的形成方法 [P].

储江 .

中国专利 :CN110896050A ,2020-03-20

[8]

介电薄膜形成用组合物及介电薄膜的形成方法 [P].

藤井顺 ;

渡边敏昭 ;

樱井英章 ;

曽山信幸 .

中国专利 :CN103964838A ,2014-08-06

[9]

形成纳米多孔介电薄膜的方法 [P].

J·Q·牛 ;

J·L·哈恩费尔德 ;

J·W·莱昂斯 ;

J·H·塞东 ;

C·H·西尔维斯 .

中国专利 :CN1968998A ,2007-05-23

[10]

低介电常数的介电薄膜的形成方法 [P].

林耕竹 ;

周家政 ;

叶明灵 .

中国专利 :CN101060079A ,2007-10-24

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