一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110051238.7

申请日：

2021-01-14

公开(公告)号：

CN112897484A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

薛健周燚洒张娅

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C01B21082

IPC分类号：

B01D5322 B01D6700 B01D7102 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;江裕强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	公开	公开
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/082 申请日:20210114

共 50 条

[1]

蒸汽辅助制备g-C3N4纳米片的方法 [P].

舒杼 ;

谭义根 ;

周俊 .

中国专利 :CN110745793A ,2020-02-04

[2]

一种Pt/g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111082083A ,2020-04-28

[3]

可调控超薄二维纳米g-C3N4膜及其制备方法与应用 [P].

王海辉 ;

王艳杰 ;

丁力 ;

侯嘉敏 .

中国专利 :CN105148744A ,2015-12-16

[4]

具有铁磁性B掺杂g-C3N4二维超薄纳米片的制备方法 [P].

高大强 ;

刘永刚 .

中国专利 :CN106006583B ,2016-10-12

[5]

一种g-C3N4超薄纳米片的制备方法 [P].

黄敏旋 ;

王丽伟 ;

符浩 ;

余克服 ;

王英辉 .

中国专利 :CN109607500A ,2019-04-12

[6]

g-C3N4及其制备方法和应用 [P].

周升 ;

舒歌平 ;

杨葛灵 ;

章序文 ;

高山松 ;

王洪学 .

中国专利 :CN111992234A ,2020-11-27

[7]

一种非金属g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

洪远志 ;

刘恩利 ;

林雪 ;

时君友 .

中国专利 :CN109279585A ,2019-01-29

[8]

由g-C3N4/金属复合材料制备纳米片的方法 [P].

默克·萨玛拉吉 ;

迈克尔·伦茨 .

:CN118401463A ,2024-07-26

[9]

一种苯酚掺杂g-C3N4纳米片及其制备方法 [P].

周忠福 ;

薄文 ;

刘松岩 ;

石磊 ;

秦兴然 ;

李越 .

中国专利 :CN111495414A ,2020-08-07

[10]

一种元素掺杂的多孔g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

舒杼 ;

王文斌 ;

周俊 .

中国专利 :CN108855182A ,2018-11-23

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