可调控超薄二维纳米g-C3N4膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510527433.7

申请日：

2015-08-25

公开(公告)号：

CN105148744A

公开(公告)日：

2015-12-16

发明(设计)人：

王海辉王艳杰丁力侯嘉敏

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

B01D7102

IPC分类号：

B01D6700 B01D6900 C04B4185 C02F144

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

罗啸秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101642492529 IPC(主分类):B01D 71/02 专利申请号:2015105274337 申请日:20150825
2017-08-25	授权	授权
2015-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用 [P].

薛健 ;

周燚洒 ;

张娅 .

中国专利 :CN112897484A ,2021-06-04

[2]

具有铁磁性B掺杂g-C3N4二维超薄纳米片的制备方法 [P].

高大强 ;

刘永刚 .

中国专利 :CN106006583B ,2016-10-12

[3]

一种超薄二维纳米片的制备方法和超薄二维纳米片及其应用 [P].

吴忠帅 ;

张良柱 .

中国专利 :CN120622538A ,2025-09-12

[4]

一种二维g-C3N4纳米片膜及其电化学制备方法与在离子分离中的应用 [P].

薛健 ;

张娅 ;

王海辉 .

中国专利 :CN114592197A ,2022-06-07

[5]

超薄聚二炔二维纳米片材料及其制备方法与应用 [P].

胡波剑 ;

武培怡 .

中国专利 :CN108219049A ,2018-06-29

[6]

一种可用于气体分离的g-C3N4二维纳米片膜及其制备方法与在气体分离中的应用 [P].

王海辉 ;

刘玲妃 ;

薛健 .

中国专利 :CN107998904A ,2018-05-08

[7]

g-C3N4及其制备方法和应用 [P].

周升 ;

舒歌平 ;

杨葛灵 ;

章序文 ;

高山松 ;

王洪学 .

中国专利 :CN111992234A ,2020-11-27

[8]

一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法 [P].

陶凯 ;

李伟伟 ;

韩磊 .

中国专利 :CN110697794B ,2020-01-17

[9]

二维纳米片及其制备方法 [P].

张瑞 ;

郑国义 ;

郑杰思 .

中国专利 :CN106587087A ,2017-04-26

[10]

超薄二维纳米材料S@MOF的制备方法及其应用 [P].

何纯挺 ;

章佳 ;

郭璐瑶 ;

丁立稳 .

中国专利 :CN114774985A ,2022-07-22

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