具有增强击穿电压的肖特基二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210172695.2

申请日：

2012-05-30

公开(公告)号：

CN103456732B

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

吕晋贤杜硕伦张晋伟詹景琳李明东

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	公开	公开
2016-06-15	授权	授权
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20120530 授权公告日:20160615 终止日期:20190530
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562723459 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:2012101726952 申请日:20120530

共 50 条

[1]

具有增强击穿电压的肖特基二极管结构 [P].

安东尼恩·罗斯帕尔 .

中国专利 :CN101013727B ,2007-08-08

[2]

一种具有增强击穿电压的肖特基二极管 [P].

王锰 .

中国专利 :CN206441738U ,2017-08-25

[3]

肖特基二极管 [P].

J·迪特尔 ;

H·塔迪肯 .

中国专利 :CN100409458C ,2005-07-13

[4]

具有可控击穿电压的二极管 [P].

F·希尔勒 ;

J·韦耶斯 .

中国专利 :CN103035743A ,2013-04-10

[5]

肖特基二极管 [P].

陆阳 ;

韩广涛 ;

黄必亮 ;

周逊伟 .

中国专利 :CN205752185U ,2016-11-30

[6]

肖特基二极管 [P].

Z·A·莎菲 ;

J·A·巴布科克 .

中国专利 :CN102870222B ,2013-01-09

[7]

肖特基二极管 [P].

韩建军 .

中国专利 :CN201126822Y ,2008-10-01

[8]

改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法 [P].

成鑫华 ;

许升高 .

中国专利 :CN103390554A ,2013-11-13

[9]

一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构 [P].

张浩 ;

姚鸿 ;

仲正 .

中国专利 :CN109088533A ,2018-12-25

[10]

一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构 [P].

张浩 ;

姚鸿 ;

仲正 .

中国专利 :CN208908415U ,2019-05-28

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