一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821509695.6

申请日：

2018-09-17

公开(公告)号：

CN208908415U

公开(公告)日：

2019-05-28

发明(设计)人：

张浩姚鸿仲正

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高等教育区林泉街377号公共学院1区319室

IPC主分类号：

H02M1088

IPC分类号：

H02J5000

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司 11278

代理人：

田方正

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构 [P].

张浩 ;

姚鸿 ;

仲正 .

中国专利 :CN109088533A ,2018-12-25

[2]

具有增强击穿电压的肖特基二极管 [P].

吕晋贤 ;

杜硕伦 ;

张晋伟 ;

詹景琳 ;

李明东 .

中国专利 :CN103456732B ,2013-12-18

[3]

齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪 [P].

周宝善 ;

李博 .

中国专利 :CN213581234U ,2021-06-29

[4]

一种功率二极管反向击穿电压分级测试装置 [P].

韦文生 ;

罗飞 ;

葛文锋 .

中国专利 :CN105954662A ,2016-09-21

[5]

基于中子辐射的氧化镓二极管反向击穿电压提升方法 [P].

郑雪峰 ;

岳少忠 ;

张翔宇 ;

洪悦华 ;

张方 ;

苑子健 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN115172171B ,2025-08-01

[6]

具有增强击穿电压的肖特基二极管结构 [P].

安东尼恩·罗斯帕尔 .

中国专利 :CN101013727B ,2007-08-08

[7]

具有可控击穿电压的二极管 [P].

F·希尔勒 ;

J·韦耶斯 .

中国专利 :CN103035743A ,2013-04-10

[8]

一种二极管击穿电压测试电路 [P].

李俊 .

中国专利 :CN205562731U ,2016-09-07

[9]

高倍反向电压二极管 [P].

王双 ;

王毅 .

中国专利 :CN216928573U ,2022-07-08

[10]

一种具有增强击穿电压的肖特基二极管 [P].

王锰 .

中国专利 :CN206441738U ,2017-08-25

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