一种功率二极管反向击穿电压分级测试装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610443741.6
申请日
2016-06-18
公开(公告)号
CN105954662A
公开(公告)日
2016-09-21
发明(设计)人
韦文生 罗飞 葛文锋
申请人
申请人地址
325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
IPC主分类号
G01R3114
IPC分类号
G01R3126
代理机构
温州名创知识产权代理有限公司 33258
代理人
陈加利
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪 [P]. 
周宝善 ;
李博 .
中国专利 :CN213581234U ,2021-06-29
[2]
一种功率二极管正向动态电阻测试装置 [P]. 
韦文生 ;
罗飞 ;
蔡斌 ;
应柯杰 .
中国专利 :CN106154044B ,2016-11-23
[3]
二极管反向电压快速测试装置 [P]. 
杨吉明 ;
庄娟梅 ;
陆龙伟 .
中国专利 :CN202093131U ,2011-12-28
[4]
一种二极管击穿电压测试电路 [P]. 
李俊 .
中国专利 :CN205562731U ,2016-09-07
[5]
一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构 [P]. 
张浩 ;
姚鸿 ;
仲正 .
中国专利 :CN208908415U ,2019-05-28
[6]
一种具有可拓展反向击穿电压新型二极管拓扑结构 [P]. 
张浩 ;
姚鸿 ;
仲正 .
中国专利 :CN109088533A ,2018-12-25
[7]
基于中子辐射的氧化镓二极管反向击穿电压提升方法 [P]. 
郑雪峰 ;
岳少忠 ;
张翔宇 ;
洪悦华 ;
张方 ;
苑子健 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN115172171B ,2025-08-01
[8]
光电二极管的击穿电压测试 [P]. 
王陈銮 ;
向少卿 .
中国专利 :CN110488174A ,2019-11-22
[9]
光电二极管的击穿电压测试 [P]. 
王陈銮 ;
向少卿 .
中国专利 :CN113189466B ,2021-07-30
[10]
一种基于反向恢复时间筛选二极管的装置 [P]. 
韦文生 ;
罗飞 .
中国专利 :CN105807198A ,2016-07-27