锰锡氧化物类透明导电氧化物及利用其的多层透明导电膜以及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610073079.X
申请日
2016-02-02
公开(公告)号
CN105845196B
公开(公告)日
2016-08-10
发明(设计)人
崔志远 崔源国 金镇相 任咳摞
申请人
申请人地址
韩国首尔
IPC主分类号
H01B108
IPC分类号
H01B514 H01B1300 C01G1902 C01G4502
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
苗堃;金世煜
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
透明导电氧化物 [P]. 
弗拉基米尔·L·库兹涅佐夫 ;
彼得·P·爱德华兹 .
中国专利 :CN102576577A ,2012-07-11
[2]
透明导电氧化物 [P]. 
理查德·欧内斯特·德马雷 ;
穆昆丹·纳拉辛汉 .
中国专利 :CN1826423A ,2006-08-30
[3]
透明导电氧化物膜及其制备方法 [P]. 
于泽泓 ;
于泽军 .
中国专利 :CN104451612A ,2015-03-25
[4]
制备透明导电氧化物膜的方法 [P]. 
程寒松 ;
许国勤 .
中国专利 :CN103250213A ,2013-08-14
[5]
氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P]. 
秋池良 ;
土田裕也 ;
仓持豪人 .
中国专利 :CN108698932B ,2018-10-23
[6]
氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜 [P]. 
阿部能之 ;
中山德行 ;
小原刚 ;
和气理一郎 .
中国专利 :CN102543250A ,2012-07-04
[7]
复合氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P]. 
仓持豪人 ;
玉野公章 ;
秋池良 ;
饭草仁志 .
中国专利 :CN104520467A ,2015-04-15
[8]
一种透明导电氧化物及其制备方法 [P]. 
王建晖 ;
尧俊 ;
王文琦 ;
张睿智 ;
李龚剑 ;
卢仁 ;
鮑加拴 ;
金利剑 .
中国专利 :CN119132700A ,2024-12-13
[9]
掺杂的透明导电氧化物 [P]. 
道格拉斯·道森 ;
斯科特·米勒斯 ;
泊伊尔·帕斯马科夫 ;
戴尔·罗伯逊 ;
赵志波 .
中国专利 :CN102482796A ,2012-05-30
[10]
用于制造透明导电氧化物多层的方法 [P]. 
保罗·洛西奥 ;
奥努尔·恰拉尔 ;
彼得·雷希特施泰纳 ;
珀赖因·卡鲁瓦 ;
霍尔格·克赖斯特 .
中国专利 :CN103430317A ,2013-12-04