用于制造透明导电氧化物多层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280005735.2

申请日：

2012-01-13

公开(公告)号：

CN103430317A

公开(公告)日：

2013-12-04

发明(设计)人：

保罗·洛西奥奥努尔·恰拉尔彼得·雷希特施泰纳珀赖因·卡鲁瓦霍尔格·克赖斯特

申请人：

申请人地址：

瑞士特鲁巴赫

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101558130299 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2012800057352 申请日:20120113
2016-06-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101733601149 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2012800057352 申请公布日:20131204
2013-12-04	公开	公开

共 50 条

[1]

制造透明导电氧化物涂层的方法 [P].

卓阿克姆·沐勒 ;

刘健 ;

斯蒂芬·威尔德 .

中国专利 :CN101521247A ,2009-09-02

[2]

透明导电氧化物 [P].

弗拉基米尔·L·库兹涅佐夫 ;

彼得·P·爱德华兹 .

中国专利 :CN102576577A ,2012-07-11

[3]

透明导电氧化物 [P].

理查德·欧内斯特·德马雷 ;

穆昆丹·纳拉辛汉 .

中国专利 :CN1826423A ,2006-08-30

[4]

增强导电氧化物层雾度的方法及透明导电氧化物透明基底 [P].

路胜博 .

中国专利 :CN103426968A ,2013-12-04

[5]

去除透明导电氧化物的方法 [P].

克里斯蒂安·德罗斯特 ;

彭寿 .

中国专利 :CN106929906A ,2017-07-07

[6]

掺杂的透明导电氧化物 [P].

道格拉斯·道森 ;

斯科特·米勒斯 ;

泊伊尔·帕斯马科夫 ;

戴尔·罗伯逊 ;

赵志波 .

中国专利 :CN102482796A ,2012-05-30

[7]

制备透明导电氧化物膜的方法 [P].

程寒松 ;

许国勤 .

中国专利 :CN103250213A ,2013-08-14

[8]

锰锡氧化物类透明导电氧化物及利用其的多层透明导电膜以及其制备方法 [P].

崔志远 ;

崔源国 ;

金镇相 ;

任咳摞 .

中国专利 :CN105845196B ,2016-08-10

[9]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[10]

氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN102543250A ,2012-07-04

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