一种二值局部有源忆阻器的仿真器电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922062990.2

申请日：

2019-11-26

公开(公告)号：

CN210691321U

公开(公告)日：

2020-06-05

发明(设计)人：

王君兰王光义董玉姣谷文玉李茹依

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

G06F30367

IPC分类号：

代理机构：

杭州奥创知识产权代理有限公司 33272

代理人：

王佳健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	授权	授权

共 50 条

[1]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213A ,2020-11-17

[2]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213B ,2024-03-22

[3]

一种三值局部有源忆阻器仿真器 [P].

韩春艳 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN110598371A ,2019-12-20

[4]

一种对数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

王晓炜 .

中国专利 :CN208705883U ,2019-04-05

[5]

对数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

王晓炜 .

中国专利 :CN109086558A ,2018-12-25

[6]

对数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

王晓炜 .

中国专利 :CN109086558B ,2024-06-25

[7]

一种指数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN108718190B ,2018-10-30

[8]

一种新型对数绝对值局部有源忆阻器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

谷文玉 ;

杨柳 ;

牛小燕 .

中国专利 :CN110245421A ,2019-09-17

[9]

一种四值忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

董玉姣 ;

王晓炜 ;

应加捷 .

中国专利 :CN208705884U ,2019-04-05

[10]

基于二阶局部有源忆阻器的仿真器模型 [P].

应佳捷 ;

黄海峻 ;

孙玉鹏 .

中国专利 :CN120633547A ,2025-09-12

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