一种对数型局部有源忆阻器仿真器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821600698.0

申请日：

2018-09-29

公开(公告)号：

CN208705883U

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

王光义应佳捷王晓炜

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

杭州奥创知识产权代理有限公司 33272

代理人：

王佳健

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

对数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

王晓炜 .

中国专利 :CN109086558A ,2018-12-25

[2]

对数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

王晓炜 .

中国专利 :CN109086558B ,2024-06-25

[3]

一种指数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN108718190B ,2018-10-30

[4]

一种二值局部有源忆阻器的仿真器电路 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN210691321U ,2020-06-05

[5]

一种三值局部有源忆阻器仿真器 [P].

韩春艳 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN110598371A ,2019-12-20

[6]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213A ,2020-11-17

[7]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213B ,2024-03-22

[8]

一种同侧双生局部有源忆阻器仿真器 [P].

杨淑婷 ;

王光义 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN113054987A ,2021-06-29

[9]

基于二阶局部有源忆阻器的仿真器模型 [P].

应佳捷 ;

黄海峻 ;

孙玉鹏 .

中国专利 :CN120633547A ,2025-09-12

[10]

基于二阶局部有源忆阻器的仿真器模型 [P].

应佳捷 ;

黄海峻 ;

孙玉鹏 .

中国专利 :CN120633547B ,2025-10-17

← 1 2 3 4 5 →