基于二阶局部有源忆阻器的仿真器模型

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511136307.9

申请日：

2025-08-14

公开(公告)号：

CN120633547B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

应佳捷黄海峻孙玉鹏

申请人：

南京师范大学

申请人地址：

210000 江苏省南京市鼓楼区宁海路122号

IPC主分类号：

G06F30/36

IPC分类号：

代理机构：

南京众联专利代理有限公司 32206

代理人：

蒋昱

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权
2025-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/36申请日:20250814
2025-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

基于二阶局部有源忆阻器的仿真器模型 [P].

应佳捷 ;

黄海峻 ;

孙玉鹏 .

中国专利 :CN120633547A ,2025-09-12

[2]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213A ,2020-11-17

[3]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213B ,2024-03-22

[4]

对数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

王晓炜 .

中国专利 :CN109086558A ,2018-12-25

[5]

对数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

王晓炜 .

中国专利 :CN109086558B ,2024-06-25

[6]

一种指数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN108718190B ,2018-10-30

[7]

一种三值局部有源忆阻器仿真器 [P].

韩春艳 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN110598371A ,2019-12-20

[8]

一种二值局部有源忆阻器的仿真器电路 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN210691321U ,2020-06-05

[9]

一种对数型局部有源忆阻器仿真器 [P].

王光义 ;

应佳捷 ;

王晓炜 .

中国专利 :CN208705883U ,2019-04-05

[10]

一种四阶局部有源忆阻器电路模型 [P].

王光义 ;

董玉姣 ;

马德明 .

中国专利 :CN108846165A ,2018-11-20

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