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单晶生长炉（SiC）
被引：0
专利类型：
外观设计
申请号：
CN202130330723.9
申请日：
2021-06-01
公开(公告)号：
CN306856378S
公开(公告)日：
2021-09-28
发明(设计)人：
姚恒
姚泰
申请人：
申请人地址：
210000 江苏省南京市六合区六合经济开发区时代大道96号
IPC主分类号：
1599
IPC分类号：
代理机构：
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205
代理人：
肖军
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-09-28 | 授权 | 授权 |