单晶生长炉的炉底和单晶生长炉

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202421739959.2
申请日
2024-07-22
公开(公告)号
CN222809588U
公开(公告)日
2025-04-29
发明(设计)人
翁伟聪 翟虎 李孟轩 孙金梅
申请人
浙江丽晖智能装备有限公司 北京中企祥科技有限公司
申请人地址
323010 浙江省丽水市莲都区南明山街道绿谷大道309号国际车城15号楼11层-350
IPC主分类号
C30B15/00
IPC分类号
F27D9/00
代理机构
北京润平知识产权代理有限公司 11283
代理人
王越
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
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单晶生长炉(SiC) [P]. 
姚恒 ;
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单晶生长炉和单晶制备方法 [P]. 
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