二氧化硅颗粒及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010546805.8

申请日：

2010-11-11

公开(公告)号：

CN102295292B

公开(公告)日：

2011-12-28

发明(设计)人：

钱谷优香吉川英昭奥野広良野崎骏介川岛信一郎竹内荣

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

丁香兰;庞东成

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C01B 33/18 变更事项:专利权人变更前:富士施乐株式会社变更后:富士胶片商业创新有限公司变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2011-12-28	公开	公开
2016-01-20	授权	授权
2013-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101373522262 IPC(主分类):C01B 33/18 专利申请号:2010105468058 申请日:20101111

共 50 条

[1]

二氧化硅颗粒、二氧化硅颗粒的制造方法和树脂颗粒 [P].

吉川英昭 ;

钱谷优香 ;

奥野广良 ;

川岛信一郎 ;

角仓康夫 ;

野崎骏介 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN102862991B ,2013-01-09

[2]

二氧化硅颗粒和二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

加藤怜实 ;

平野义宏 ;

木村将也 ;

河本宗范 ;

夫马康博 ;

三木万海 .

日本专利 :CN120035564A ,2025-05-23

[3]

二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

钱谷优香 ;

竹内荣 ;

佐佐木孝治 ;

惠利祥史 ;

持田麻衣 .

中国专利 :CN115124043A ,2022-09-30

[4]

二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

钱谷优香 ;

竹内荣 ;

佐佐木孝治 ;

惠利祥史 ;

持田麻衣 .

中国专利 :CN115124044A ,2022-09-30

[5]

二氧化硅颗粒及其制备方法 [P].

钱谷优香 ;

岩永猛 ;

鹿岛保伸 .

中国专利 :CN103626188B ,2014-03-12

[6]

二氧化硅复合颗粒及其制造方法 [P].

滨睦 ;

饭田能史 ;

奥野广良 .

中国专利 :CN104212203A ,2014-12-17

[7]

二氧化硅复合颗粒及其制造方法 [P].

佐佐木孝治 ;

奥野广良 ;

饭田能史 ;

钱谷优香 ;

高山雅弘 ;

池田雅史 ;

野崎骏介 .

中国专利 :CN108624088B ,2018-10-09

[8]

胶体二氧化硅及其制造方法 [P].

根岸佑马 ;

大槻英希 ;

山下宏明 ;

千叶年辉 .

中国专利 :CN113544092A ,2021-10-22

[9]

胶体二氧化硅及其制造方法 [P].

根岸佑马 ;

大槻英希 ;

山下宏明 ;

千叶年辉 .

日本专利 :CN113544092B ,2024-07-05

[10]

胶体二氧化硅及其制造方法 [P].

根岸佑马 ;

大槻英希 ;

山下宏明 ;

千叶年辉 .

日本专利 :CN118561285A ,2024-08-30

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