二氧化硅颗粒、二氧化硅颗粒的制造方法和树脂颗粒

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210027629.6

申请日：

2012-02-08

公开(公告)号：

CN102862991B

公开(公告)日：

2013-01-09

发明(设计)人：

吉川英昭钱谷优香奥野广良川岛信一郎角仓康夫野崎骏介竹内荣

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

C08K906 C08K336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

丁香兰;庞东成

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	授权	授权
2013-01-09	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576931133 IPC(主分类):C01B 33/12 专利申请号:2012100276296 申请日:20120208
2021-12-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C01B 33/12 变更事项:专利权人变更前:富士施乐株式会社变更后:富士胶片商业创新有限公司变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都

共 50 条

[1]

二氧化硅颗粒和二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

加藤怜实 ;

平野义宏 ;

木村将也 ;

河本宗范 ;

夫马康博 ;

三木万海 .

日本专利 :CN120035564A ,2025-05-23

[2]

二氧化硅颗粒以及二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

奥野广良 ;

井上敏司 ;

饭田能史 ;

中岛与人 ;

钱谷优香 ;

惠利祥史 ;

角仓康夫 ;

师冈泰久 ;

野崎骏介 ;

岩永猛 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN106517214A ,2017-03-22

[3]

二氧化硅颗粒及其制造方法 [P].

钱谷优香 ;

吉川英昭 ;

奥野広良 ;

野崎骏介 ;

川岛信一郎 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN102295292B ,2011-12-28

[4]

细二氧化硅颗粒 [P].

大原雅和 ;

木村稔 ;

青木博男 .

中国专利 :CN100569642C ,2006-04-05

[5]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN118145659A ,2024-06-07

[6]

改性二氧化硅颗粒 [P].

P·A·雷斯托普 ;

A·特恩克罗纳 ;

J·利夫 ;

J·E·P·霍格布鲁姆 .

中国专利 :CN105308128A ,2016-02-03

[7]

改性二氧化硅颗粒 [P].

A·特恩克罗纳 ;

K·霍尔姆贝里 ;

R·博尔德 .

中国专利 :CN103415575B ,2013-11-27

[8]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN115210179B ,2024-03-29

[9]

二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

吉川英昭 ;

钱谷优香 ;

奥野広良 ;

野崎骏介 ;

川岛信一郎 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN102295290A ,2011-12-28

[10]

二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

布鲁斯·A·凯泽 ;

尼古拉斯·S·埃冈 ;

理查德·米姆纳 ;

布雷特·M·舒瓦特 .

中国专利 :CN102883997A ,2013-01-16

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