半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610231158.9

申请日：

2010-12-02

公开(公告)号：

CN105702631B

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

山崎舜平小山润加藤清

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L27108 H01L27115 H01L29786 H01L29788 H01L29792 G11C11402 G11C11405

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

金红莲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-28	授权	授权
2022-11-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20101202 授权公告日:20190528 终止日期:20211202
2016-06-22	公开	公开
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670890937 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2016102311589 申请日:20101202

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN102714184B ,2012-10-03

[2]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN102612749A ,2012-07-25

[3]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN102742003A ,2012-10-17

[4]

半导体器件 [P].

松崎隆德 ;

加藤清 ;

井上广树 ;

长塚修平 .

中国专利 :CN102754163B ,2012-10-24

[5]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102197490A ,2011-09-21

[6]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102386236A ,2012-03-21

[7]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102509736A ,2012-06-20

[8]

半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105914209A ,2016-08-31

[9]

半导体器件 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

今井馨太郎 .

中国专利 :CN102598248A ,2012-07-18

[10]

半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102598246B ,2012-07-18

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