半导体器件和用于制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110317572.9

申请日：

2009-09-28

公开(公告)号：

CN102386236A

公开(公告)日：

2012-03-21

发明(设计)人：

宫入秀和长多刚山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2702 H01L2177

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张金金;朱海煜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101237121373 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2011103175729 申请日:20090928
2012-03-21	公开	公开
2016-02-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102197490A ,2011-09-21

[2]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102509736A ,2012-06-20

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101728434A ,2010-06-09

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN104078512A ,2014-10-01

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101740583B ,2010-06-16

[6]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

小山正人 ;

西山彰 ;

土屋义规 ;

市原玲华 .

中国专利 :CN1828902A ,2006-09-06

[7]

用于制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN111081550A ,2020-04-28

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

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