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一种半导体磁传感器
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201721874323.9
申请日
:
2017-12-28
公开(公告)号
:
CN207779414U
公开(公告)日
:
2018-08-28
发明(设计)人
:
巫远招
刘宜伟
李润伟
申请人
:
申请人地址
:
315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
IPC主分类号
:
G01D512
IPC分类号
:
H01L4300
代理机构
:
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327
代理人
:
陈英俊
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-08-28
授权
授权
共 50 条
[1]
一种磁传感器
[P].
巫远招
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巫远招
;
刘宜伟
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刘宜伟
;
李润伟
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李润伟
.
中国专利
:CN207938659U
,2018-10-02
[2]
一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法
[P].
巫远招
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巫远招
;
刘宜伟
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刘宜伟
;
李润伟
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李润伟
.
中国专利
:CN108151768A
,2018-06-12
[3]
一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法
[P].
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机构:
巫远招
;
论文数:
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机构:
刘宜伟
;
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机构:
李润伟
.
中国专利
:CN108151768B
,2024-07-05
[4]
半导体装置、磁传感器和磁传感器单元
[P].
内藤宽
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内藤宽
;
佐藤秀树
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佐藤秀树
.
中国专利
:CN2881957Y
,2007-03-21
[5]
一种磁传感器、其制备方法与使用方法
[P].
巫远招
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巫远招
;
刘宜伟
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刘宜伟
;
李润伟
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李润伟
.
中国专利
:CN108039406A
,2018-05-15
[6]
一种磁传感器、其制备方法与使用方法
[P].
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机构:
巫远招
;
论文数:
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机构:
刘宜伟
;
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机构:
李润伟
.
中国专利
:CN108039406B
,2024-03-08
[7]
半导体装置、磁传感器和磁传感器单元
[P].
内藤宽
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内藤宽
;
佐藤秀树
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佐藤秀树
.
中国专利
:CN1674270A
,2005-09-28
[8]
磁传感器及半导体器件
[P].
程晓峰
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机构:
浙江睿晶微电子科技有限公司
浙江睿晶微电子科技有限公司
程晓峰
;
边程浩
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机构:
浙江睿晶微电子科技有限公司
浙江睿晶微电子科技有限公司
边程浩
;
高洪连
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机构:
浙江睿晶微电子科技有限公司
浙江睿晶微电子科技有限公司
高洪连
.
中国专利
:CN121186669A
,2025-12-23
[9]
一种悬臂梁式磁传感器
[P].
巫远招
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巫远招
;
刘宜伟
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刘宜伟
;
李润伟
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李润伟
.
中国专利
:CN207938658U
,2018-10-02
[10]
半导体气体传感器
[P].
C·维尔贝茨
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C·维尔贝茨
;
T·科莱特
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T·科莱特
;
H-P·弗雷里希斯
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H-P·弗雷里希斯
.
中国专利
:CN103175881B
,2013-06-26
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