一种半导体磁传感器

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201721874323.9
申请日
2017-12-28
公开(公告)号
CN207779414U
公开(公告)日
2018-08-28
发明(设计)人
巫远招 刘宜伟 李润伟
申请人
申请人地址
315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
IPC主分类号
G01D512
IPC分类号
H01L4300
代理机构
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327
代理人
陈英俊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种磁传感器 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN207938659U ,2018-10-02
[2]
一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108151768A ,2018-06-12
[3]
一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108151768B ,2024-07-05
[4]
半导体装置、磁传感器和磁传感器单元 [P]. 
内藤宽 ;
佐藤秀树 .
中国专利 :CN2881957Y ,2007-03-21
[5]
一种磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108039406A ,2018-05-15
[6]
一种磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108039406B ,2024-03-08
[7]
半导体装置、磁传感器和磁传感器单元 [P]. 
内藤宽 ;
佐藤秀树 .
中国专利 :CN1674270A ,2005-09-28
[8]
磁传感器及半导体器件 [P]. 
程晓峰 ;
边程浩 ;
高洪连 .
中国专利 :CN121186669A ,2025-12-23
[9]
一种悬臂梁式磁传感器 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN207938658U ,2018-10-02
[10]
半导体气体传感器 [P]. 
C·维尔贝茨 ;
T·科莱特 ;
H-P·弗雷里希斯 .
中国专利 :CN103175881B ,2013-06-26