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一种磁传感器

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201721875900.6
申请日：
2017-12-28
公开(公告)号：
CN207938659U
公开(公告)日：
2018-10-02
发明(设计)人：
巫远招 刘宜伟 李润伟
申请人：
申请人地址：
315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
IPC主分类号：
H01L4112
IPC分类号：
H01L4106
代理机构：
宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291
代理人：
单英
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-10-02 授权 授权
共 50 条
[1]
一种磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108039406A ,2018-05-15
[2]
一种磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108039406B ,2024-03-08
[3]
一种半导体磁传感器 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN207779414U ,2018-08-28
[4]
一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108151768A ,2018-06-12
[5]
一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108151768B ,2024-07-05
[6]
一种场效应晶体管式磁传感器 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN207781649U ,2018-08-28
[7]
一种悬臂梁式磁传感器 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN207938658U ,2018-10-02
[8]
一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108054273B ,2024-03-08
[9]
一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 [P]. 
巫远招 ;
刘宜伟 ;
李润伟 .
中国专利 :CN108054273A ,2018-05-18
[10]
一种磁传感器结构 [P]. 
文明 ;
徐磊磊 ;
熊红斌 .
中国专利 :CN203287508U ,2013-11-13
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