一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711456098.1

申请日：

2017-12-28

公开(公告)号：

CN108054273B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

巫远招刘宜伟李润伟

申请人：

中国科学院宁波材料技术与工程研究所

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号

IPC主分类号：

H10N35/80

IPC分类号：

H10N35/00 H10N35/01

代理机构：

宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291

代理人：

单英

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 [P].

巫远招 ;

刘宜伟 ;

李润伟 .

中国专利 :CN108054273A ,2018-05-18

[2]

一种场效应晶体管式磁传感器 [P].

巫远招 ;

刘宜伟 ;

李润伟 .

中国专利 :CN207781649U ,2018-08-28

[3]

一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法 [P].

巫远招 ;

刘宜伟 ;

李润伟 .

中国专利 :CN108151768A ,2018-06-12

[4]

一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法 [P].

巫远招 ;

刘宜伟 ;

李润伟 .

中国专利 :CN108151768B ,2024-07-05

[5]

场效应晶体管手性传感器及其制备方法 [P].

潘革波 ;

王亦 ;

崔铮 .

中国专利 :CN101923065A ,2010-12-22

[6]

场效应晶体管、气体传感器及其制造方法 [P].

鹈饲顺三 ;

汐月大志 ;

南豪 ;

佐佐木由比 .

中国专利 :CN113540351A ,2021-10-22

[7]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

卢年端 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26

[8]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

揣喜臣 ;

卢年端 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09

[9]

鳍式场效应晶体管的制造方法、鳍式场效应晶体管 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102956496A ,2013-03-06

[10]

一种磁传感器、其制备方法与使用方法 [P].

巫远招 ;

刘宜伟 ;

李润伟 .

中国专利 :CN108039406B ,2024-03-08

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