一种场效应晶体管式磁传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721884813.7

申请日：

2017-12-28

公开(公告)号：

CN207781649U

公开(公告)日：

2018-08-28

发明(设计)人：

巫远招刘宜伟李润伟

申请人：

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号

IPC主分类号：

H01L4106

IPC分类号：

H01L4112 H01L4147

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

陈英俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 [P].

巫远招 ;

刘宜伟 ;

李润伟 .

中国专利 :CN108054273B ,2024-03-08

[2]

一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 [P].

巫远招 ;

刘宜伟 ;

李润伟 .

中国专利 :CN108054273A ,2018-05-18

[3]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[4]

场效应晶体管 [P].

桑原博一 ;

池田征明 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25

[5]

场效应晶体管 [P].

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN103003930B ,2013-03-27

[6]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

[7]

场效应晶体管 [P].

井腰文智 ;

桥诘真吾 ;

引田正洋 ;

山际优人 ;

柳原学 .

中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21

[8]

场效应晶体管 [P].

胁田尚英 ;

田中健一郎 ;

石田昌宏 ;

田村聪之 ;

柴田大辅 .

中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10

[9]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27

[10]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972278A ,2022-01-25

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