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半导体装置制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810390786.0
申请日
:
2011-10-21
公开(公告)号
:
CN108470733B
公开(公告)日
:
2018-08-31
发明(设计)人
:
松本光市
申请人
:
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
H01L27092
IPC分类号
:
H01L2906
H01L2908
H01L29417
H01L29423
H01L2949
H01L2951
H01L21336
H01L2128
H01L218238
代理机构
:
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人
:
李晗;曹正建
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-09-25
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20111021
2022-09-16
授权
授权
2018-08-31
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体装置和半导体装置制造方法
[P].
松本光市
论文数:
0
引用数:
0
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0
松本光市
.
中国专利
:CN102456691A
,2012-05-16
[2]
半导体装置
[P].
松本光市
论文数:
0
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0
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0
松本光市
.
中国专利
:CN108666273B
,2018-10-16
[3]
半导体装置及其制造方法
[P].
高桥健介
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高桥健介
;
间部谦三
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间部谦三
;
五十岚信行
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五十岚信行
;
辰巳彻
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辰巳彻
.
中国专利
:CN100452357C
,2006-12-13
[4]
半导体装置及其制造方法
[P].
平濑顺司
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平濑顺司
.
中国专利
:CN101652854A
,2010-02-17
[5]
半导体装置的制造方法
[P].
青山敬幸
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青山敬幸
.
中国专利
:CN107591319B
,2018-01-16
[6]
半导体装置及其制造方法
[P].
叶炅翰
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叶炅翰
;
吴明园
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吴明园
;
郑光茗
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郑光茗
;
庄学理
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庄学理
;
梁孟松
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梁孟松
.
中国专利
:CN101661936A
,2010-03-03
[7]
半导体装置及其制造方法
[P].
赖素贞
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赖素贞
;
吴明园
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吴明园
;
郑光茗
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郑光茗
;
庄学理
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庄学理
;
叶炅翰
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叶炅翰
;
张宏迪
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张宏迪
;
郭正诚
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郭正诚
;
吴建宏
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吴建宏
;
李宗吉
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李宗吉
.
中国专利
:CN101661933A
,2010-03-03
[8]
半导体装置及其制造方法
[P].
门岛胜
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门岛胜
.
中国专利
:CN101350354A
,2009-01-21
[9]
半导体装置及其制造方法
[P].
平濑顺司
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平濑顺司
;
濑部绍夫
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濑部绍夫
;
粉谷直树
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粉谷直树
;
冈崎玄
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冈崎玄
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相田和彦
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相田和彦
;
竹冈慎治
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竹冈慎治
.
中国专利
:CN100583451C
,2007-02-07
[10]
半导体装置及其制造方法
[P].
平濑顺司
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平濑顺司
;
粉谷直树
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粉谷直树
;
竹冈慎治
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竹冈慎治
;
冈崎玄
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冈崎玄
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濑部绍夫
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濑部绍夫
;
相田和彦
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相田和彦
.
中国专利
:CN101030598A
,2007-09-05
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