半导体装置制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810390786.0
申请日
2011-10-21
公开(公告)号
CN108470733B
公开(公告)日
2018-08-31
发明(设计)人
松本光市
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L27092
IPC分类号
H01L2906 H01L2908 H01L29417 H01L29423 H01L2949 H01L2951 H01L21336 H01L2128 H01L218238
代理机构
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人
李晗;曹正建
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置和半导体装置制造方法 [P]. 
松本光市 .
中国专利 :CN102456691A ,2012-05-16
[2]
半导体装置 [P]. 
松本光市 .
中国专利 :CN108666273B ,2018-10-16
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
高桥健介 ;
间部谦三 ;
五十岚信行 ;
辰巳彻 .
中国专利 :CN100452357C ,2006-12-13
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
平濑顺司 .
中国专利 :CN101652854A ,2010-02-17
[5]
半导体装置的制造方法 [P]. 
青山敬幸 .
中国专利 :CN107591319B ,2018-01-16
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
叶炅翰 ;
吴明园 ;
郑光茗 ;
庄学理 ;
梁孟松 .
中国专利 :CN101661936A ,2010-03-03
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赖素贞 ;
吴明园 ;
郑光茗 ;
庄学理 ;
叶炅翰 ;
张宏迪 ;
郭正诚 ;
吴建宏 ;
李宗吉 .
中国专利 :CN101661933A ,2010-03-03
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
门岛胜 .
中国专利 :CN101350354A ,2009-01-21
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
平濑顺司 ;
濑部绍夫 ;
粉谷直树 ;
冈崎玄 ;
相田和彦 ;
竹冈慎治 .
中国专利 :CN100583451C ,2007-02-07
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
平濑顺司 ;
粉谷直树 ;
竹冈慎治 ;
冈崎玄 ;
濑部绍夫 ;
相田和彦 .
中国专利 :CN101030598A ,2007-09-05