半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710540888.1

申请日：

2017-07-05

公开(公告)号：

CN107591319B

公开(公告)日：

2018-01-16

发明(设计)人：

青山敬幸

申请人：

申请人地址：

日本京都府京都市

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

向勇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-05	授权	授权
2018-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20170705
2018-01-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置制造方法 [P].

松本光市 .

中国专利 :CN102456691A ,2012-05-16

[2]

半导体装置制造方法 [P].

松本光市 .

中国专利 :CN108470733B ,2018-08-31

[3]

半导体装置的制造方法 [P].

田中直明 ;

塚田雄二 ;

渡辺雄一 .

中国专利 :CN1674250A ,2005-09-28

[4]

半导体装置的制造方法及其制造装置 [P].

庭山雅彦 ;

米田健司 ;

高桥一马 .

中国专利 :CN1630047A ,2005-06-22

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

舛冈富士雄 ;

中村広记 .

中国专利 :CN103548125A ,2014-01-29

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

平濑顺司 .

中国专利 :CN101652854A ,2010-02-17

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

高桥健介 ;

间部谦三 ;

五十岚信行 ;

辰巳彻 .

中国专利 :CN100452357C ,2006-12-13

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

平濑顺司 ;

濑部绍夫 ;

粉谷直树 ;

冈崎玄 ;

相田和彦 ;

竹冈慎治 .

中国专利 :CN100583451C ,2007-02-07

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

平濑顺司 ;

粉谷直树 ;

竹冈慎治 ;

冈崎玄 ;

濑部绍夫 ;

相田和彦 .

中国专利 :CN101030598A ,2007-09-05

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

平濑顺司 ;

佐藤好弘 .

中国专利 :CN101123252B ,2008-02-13

← 1 2 3 4 5 →