多孔质镍薄膜及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680029173.3

申请日：

2016-11-02

公开(公告)号：

CN107614756A

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

八重樫聪远藤成辉前田哲彦熊川昌志铃木智史小曾根崇

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横滨市

IPC主分类号：

C25D108

IPC分类号：

C25D100

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	公开	公开
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 1/08 申请日:20161102
2019-10-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25D 1/08 申请公布日:20180119

共 50 条

[1]

多孔质薄膜的制造方法 [P].

佐藤裕之 ;

大友新治 ;

冈本敏 ;

铃木丰 .

中国专利 :CN101679665A ,2010-03-24

[2]

层叠多孔质薄膜的制造方法 [P].

长谷川博彦 ;

渡边耕一郎 .

中国专利 :CN103687675A ,2014-03-26

[3]

多孔质层及其制造方法 [P].

堀喜博 .

中国专利 :CN104956531A ,2015-09-30

[4]

多孔质碳及其制造方法 [P].

森下隆广 ;

折笠广典 .

中国专利 :CN104520233A ,2015-04-15

[5]

多孔质薄膜的改质方法及被改质的多孔质薄膜及其用途 [P].

高村一夫 ;

大池俊辅 ;

洼田武司 ;

村上雅美 ;

藏野义人 .

中国专利 :CN1681737A ,2005-10-12

[6]

多孔质电极基材及其制造方法 [P].

隅冈和宏 ;

佐古佳弘 .

中国专利 :CN102422470B ,2012-04-18

[7]

多孔质电极基材及其制造方法 [P].

太田究 .

中国专利 :CN111316487A ,2020-06-19

[8]

多孔质电极基材及其制造方法 [P].

隅冈和宏 ;

龙野宏人 .

中国专利 :CN102422471B ,2012-04-18

[9]

多孔质金属箔及其制造方法 [P].

松永哲广 ;

渡边肇 ;

西川丞 .

中国专利 :CN103459676A ,2013-12-18

[10]

多孔质烧结体及其制造方法 [P].

渡辺修 ;

川合秀治 .

中国专利 :CN1173897C ,2002-02-20

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