抗辐照碳纳米管晶体管、制造方法以及集成电路系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010496825.2

申请日：

2020-06-03

公开(公告)号：

CN113764587A

公开(公告)日：

2021-12-07

发明(设计)人：

朱马光肖洪山张志勇赵建文彭练矛

申请人：

申请人地址：

100080 北京市海淀区杏石口路80号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L23552 H01L5110 H01L5140

代理机构：

北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807

代理人：

韩德凯;李伟波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-07	公开	公开
2021-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20200603

共 50 条

[1]

抗辐照碳纳米管晶体管、制造方法以及集成电路系统 [P].

朱马光 ;

肖洪山 ;

张志勇 ;

赵建文 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN113764587B ,2025-02-14

[2]

抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统 [P].

朱马光 ;

肖洪山 ;

张志勇 ;

赵建文 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN212303703U ,2021-01-05

[3]

碳纳米管射频器件、制造方法及集成电路系统 [P].

石惠文 ;

仲东来 ;

张志勇 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN113782674B ,2024-02-27

[4]

碳纳米管射频器件、制造方法及集成电路系统 [P].

石惠文 ;

仲东来 ;

张志勇 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN113782674A ,2021-12-10

[5]

通过三维集成技术制造高性能碳纳米管晶体管集成电路的方法 [P].

K·陈 ;

Y-M·林 ;

P·阿沃里斯 .

中国专利 :CN102986014A ,2013-03-20

[6]

晶体管以及集成电路 [P].

刘君 .

中国专利 :CN111599862A ,2020-08-28

[7]

碳纳米管晶体管及形成碳纳米管器件的方法 [P].

E·J·诺瓦克 ;

陈佳 .

中国专利 :CN100561750C ,2007-05-16

[8]

碳纳米管场效应晶体管、三维集成电路、及其制造方法 [P].

叶术军 ;

刘立巍 ;

马远骁 ;

王业亮 .

中国专利 :CN117529118A ,2024-02-06

[9]

具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造方法 [P].

董业民 ;

P·R·韦尔马 ;

邹欣 ;

程超 ;

鞠韶復 .

中国专利 :CN101930946A ,2010-12-29

[10]

柔性碳纳米管晶体管的制备方法 [P].

郭奥 ;

任铮 ;

胡少坚 ;

周伟 .

中国专利 :CN103996624B ,2014-08-20

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