碳纳米管场效应晶体管、三维集成电路、及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210895149.5

申请日：

2022-07-25

公开(公告)号：

CN117529118A

公开(公告)日：

2024-02-06

发明(设计)人：

叶术军刘立巍马远骁王业亮

申请人：

北京理工大学

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

IPC主分类号：

H10K10/46

IPC分类号：

H10K85/20 H10K71/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-06	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 10/46申请日:20220725

共 50 条

[1]

垂直碳纳米管场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

斯蒂芬·J·霍尔姆斯 ;

马克·C·哈吉 ;

戴维·V·霍拉克 ;

查尔斯·W·考伯格三世 ;

彼德·H·米切尔 ;

拉里·A·内斯比特 .

中国专利 :CN1638066A ,2005-07-13

[2]

鳍式碳纳米管场效应晶体管 [P].

杨湛 ;

黄栋梁 ;

陈涛 ;

刘会聪 ;

王蓬勃 ;

张略 ;

金国庆 ;

孙立宁 .

中国专利 :CN205582971U ,2016-09-14

[3]

隧穿碳纳米管场效应晶体管及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105097904A ,2015-11-25

[4]

碳纳米管场效应晶体管的接触构型加工方法及场效应晶体管 [P].

金传洪 ;

李奕辰 .

中国专利 :CN119789735A ,2025-04-08

[5]

碳纳米管场效应晶体管半导体器件及其制造方法 [P].

乔尔格·阿彭泽勒 ;

佩登·阿沃里斯 ;

凯文·K·钱 ;

菲利普·G·科林斯 ;

理查德·马特尔 ;

汉森·P·黄 .

中国专利 :CN101807668A ,2010-08-18

[6]

场效应晶体管以及包括场效应晶体管的集成电路 [P].

陈华杰 ;

布鲁斯·B·多利斯 ;

菲利普·J·奥尔迪奇 ;

王新琳 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN100346483C ,2005-03-09

[7]

三维场效应晶体管和制造三维场效应晶体管的方法 [P].

M·萨雷米 ;

何铭 ;

A·库马尔 ;

M·阿霍桑乌尔卡里姆 ;

R·帕克 ;

H·希姆卡 .

韩国专利 :CN119545889A ,2025-02-28

[8]

多指栅碳纳米管场效应晶体管 [P].

Z·于 ;

P·J·伯尔克 ;

S·麦基南 ;

D·王 .

中国专利 :CN101669196A ,2010-03-10

[9]

场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法 [P].

吴多武 ;

马清杰 ;

许正一 .

中国专利 :CN108155243A ,2018-06-12

[10]

场效应晶体管、集成电路元件及其制造方法 [P].

手塚勉 ;

入沢寿史 .

中国专利 :CN101097954A ,2008-01-02

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