场效应晶体管以及包括场效应晶体管的集成电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410057601.2

申请日：

2004-08-20

公开(公告)号：

CN100346483C

公开(公告)日：

2005-03-09

发明(设计)人：

陈华杰布鲁斯·B·多利斯菲利普·J·奥尔迪奇王新琳朱慧珑

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2712 H01L2184

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-03-09	公开	公开
2017-10-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101751636550 IPC(主分类):H01L 29/772 专利号:ZL2004100576012 申请日:20040820 授权公告日:20071031 终止日期:20160820
2007-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路器件 [P].

李昇姬 ;

金俞琳 ;

金台原 ;

卓容奭 ;

张胜愚 .

韩国专利 :CN117673153A ,2024-03-08

[2]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路装置 [P].

李升姬 ;

郑在景 ;

徐承完 ;

卓容奭 ;

金俞琳 ;

金台原 ;

郑宙希 .

韩国专利 :CN118263300A ,2024-06-28

[3]

场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法 [P].

吴多武 ;

马清杰 ;

许正一 .

中国专利 :CN108155243A ,2018-06-12

[4]

场效应晶体管 [P].

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN103003930B ,2013-03-27

[5]

场效应晶体管 [P].

R·M·贝里格伦 ;

B·G·古斯塔夫松 ;

J·R·A·卡尔松 .

中国专利 :CN1210808C ,2001-05-02

[6]

包括场效应晶体管的集成电路 [P].

C.卡多 ;

T.迈尔 .

中国专利 :CN102544007A ,2012-07-04

[7]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[8]

场效应晶体管 [P].

竹中功 ;

麻埜和则 ;

石仓幸治 .

中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24

[9]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[10]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

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