场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311093686.9

申请日：

2023-08-28

公开(公告)号：

CN117673153A

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

李昇姬金俞琳金台原卓容奭张胜愚

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/24 H10B12/00

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

任旭;刘林果

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	公开	公开
2025-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20230828

共 50 条

[1]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路装置 [P].

李升姬 ;

郑在景 ;

徐承完 ;

卓容奭 ;

金俞琳 ;

金台原 ;

郑宙希 .

韩国专利 :CN118263300A ,2024-06-28

[2]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27

[3]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN102934232B ,2013-02-13

[4]

场效应晶体管以及包括场效应晶体管的集成电路 [P].

陈华杰 ;

布鲁斯·B·多利斯 ;

菲利普·J·奥尔迪奇 ;

王新琳 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN100346483C ,2005-03-09

[5]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

洪兑允 ;

尹壮根 ;

金显浩 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN118412371A ,2024-07-30

[6]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

[7]

场效应晶体管 [P].

井腰文智 ;

桥诘真吾 ;

引田正洋 ;

山际优人 ;

柳原学 .

中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21

[8]

场效应晶体管 [P].

胁田尚英 ;

田中健一郎 ;

石田昌宏 ;

田村聪之 ;

柴田大辅 .

中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10

[9]

场效应晶体管 [P].

中山达峰 ;

安藤裕二 ;

宫本广信 ;

冈本康宏 ;

井上隆 ;

大田一树 ;

村濑康裕 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN101416289A ,2009-04-22

[10]

场效应晶体管 [P].

池田圭司 ;

入沢寿史 ;

沼田敏典 ;

手塚勉 .

中国专利 :CN102694026A ,2012-09-26

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