场效应晶体管、集成电路元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710089064.3

申请日：

2007-03-29

公开(公告)号：

CN101097954A

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

手塚勉入沢寿史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27092 H01L21336 H01L218238

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	公开	公开
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管以及包括场效应晶体管的集成电路 [P].

陈华杰 ;

布鲁斯·B·多利斯 ;

菲利普·J·奥尔迪奇 ;

王新琳 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN100346483C ,2005-03-09

[2]

场效应晶体管、集成电路及制造方法 [P].

小西里尔·卡伯拉尔 ;

欧麦·H·多库玛斯 ;

奥莱格·格鲁斯切科夫 .

中国专利 :CN1624930A ,2005-06-08

[3]

场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法 [P].

吴多武 ;

马清杰 ;

许正一 .

中国专利 :CN108155243A ,2018-06-12

[4]

场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P].

椿茂树 .

中国专利 :CN1819270A ,2006-08-16

[5]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路器件 [P].

李昇姬 ;

金俞琳 ;

金台原 ;

卓容奭 ;

张胜愚 .

韩国专利 :CN117673153A ,2024-03-08

[6]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路装置 [P].

李升姬 ;

郑在景 ;

徐承完 ;

卓容奭 ;

金俞琳 ;

金台原 ;

郑宙希 .

韩国专利 :CN118263300A ,2024-06-28

[7]

包括场效应晶体管的集成电路 [P].

C.卡多 ;

T.迈尔 .

中国专利 :CN102544007A ,2012-07-04

[8]

场效应晶体管 [P].

高谷秀史 .

日本专利 :CN119234316A ,2024-12-31

[9]

场效应晶体管的制造方法及其形成的场效应晶体管 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN114068410A ,2022-02-18

[10]

场效应晶体管及集成电路 [P].

吴多武 ;

马清杰 ;

许正一 .

中国专利 :CN207529938U ,2018-06-22

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