碳纳米管场效应晶体管的接触构型加工方法及场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411619776.1

申请日：

2024-11-13

公开(公告)号：

CN119789735A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

金传洪李奕辰

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H10K71/00

IPC分类号：

H10K71/60 H10K10/46 H10K85/20 H10K10/82

代理机构：

北京金咨知识产权代理有限公司 11612

代理人：

薛海波

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	公开	公开
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 71/00申请日:20241113

共 50 条

[1]

垂直碳纳米管场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

斯蒂芬·J·霍尔姆斯 ;

马克·C·哈吉 ;

戴维·V·霍拉克 ;

查尔斯·W·考伯格三世 ;

彼德·H·米切尔 ;

拉里·A·内斯比特 .

中国专利 :CN1638066A ,2005-07-13

[2]

场效应晶体管 [P].

杨心翮 ;

柳鹏 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN113130620A ,2021-07-16

[3]

场效应晶体管 [P].

陈杰良 .

中国专利 :CN1767208A ,2006-05-03

[4]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[5]

场效应晶体管 [P].

竹中功 ;

麻埜和则 ;

石仓幸治 .

中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24

[6]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[7]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

[8]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[9]

场效应晶体管 [P].

桑原博一 ;

池田征明 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25

[10]

场效应晶体管 [P].

尾藤康则 ;

岩田直高 .

中国专利 :CN1236998A ,1999-12-01

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