场效应晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010044328.9
申请日
2020-01-15
公开(公告)号
CN113130620A
公开(公告)日
2021-07-16
发明(设计)人
杨心翮 柳鹏 姜开利 范守善
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2978
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管 [P]. 
陈杰良 .
中国专利 :CN1767208A ,2006-05-03
[2]
场效应晶体管 [P]. 
G·恩德斯 ;
B·菲斯彻 ;
H·施内德 ;
P·沃伊特 .
中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27
[3]
场效应晶体管 [P]. 
竹中功 ;
麻埜和则 ;
石仓幸治 .
中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24
[4]
场效应晶体管 [P]. 
坂直树 ;
冈元大作 ;
田中秀树 .
中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25
[5]
场效应晶体管 [P]. 
天清宗山 ;
国井彻郎 .
中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28
[6]
场效应晶体管 [P]. 
野本和正 .
中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31
[7]
场效应晶体管 [P]. 
桑原博一 ;
池田征明 ;
泷宫和男 .
中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25
[8]
场效应晶体管 [P]. 
尾藤康则 ;
岩田直高 .
中国专利 :CN1236998A ,1999-12-01
[9]
场效应晶体管 [P]. 
约翰内斯·A·M·德波特 .
中国专利 :CN113555355A ,2021-10-26
[10]
场效应晶体管 [P]. 
藤川一洋 .
中国专利 :CN102473646A ,2012-05-23