场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110448430.X

申请日：

2021-04-25

公开(公告)号：

CN113555355A

公开(公告)日：

2021-10-26

发明(设计)人：

约翰内斯·A·M·德波特

申请人：

申请人地址：

荷兰奈梅亨市

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2910 H01L29423 H01L2978 H01L2364

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

江海;姚开丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20210425
2021-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[2]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[3]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

[4]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[5]

场效应晶体管 [P].

桑原博一 ;

池田征明 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25

[6]

场效应晶体管 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12

[7]

场效应晶体管 [P].

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN103003930B ,2013-03-27

[8]

场效应晶体管 [P].

小嵜正芳 ;

平田宏治 .

中国专利 :CN100499162C ,2007-03-28

[9]

场效应晶体管 [P].

佐佐木公平 .

中国专利 :CN111164740A ,2020-05-15

[10]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

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