场效应晶体管

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专利类型
发明
申请号
CN200610127814.7
申请日
2006-09-20
公开(公告)号
CN100499162C
公开(公告)日
2007-03-28
发明(设计)人
小嵜正芳 平田宏治
申请人
申请人地址
日本爱知县
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L29812
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
顾晋伟;刘继富
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管 [P]. 
G·恩德斯 ;
B·菲斯彻 ;
H·施内德 ;
P·沃伊特 .
中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27
[2]
场效应晶体管 [P]. 
坂直树 ;
冈元大作 ;
田中秀树 .
中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25
[3]
场效应晶体管 [P]. 
天清宗山 ;
国井彻郎 .
中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28
[4]
场效应晶体管 [P]. 
野本和正 .
中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31
[5]
场效应晶体管 [P]. 
桑原博一 ;
池田征明 ;
泷宫和男 .
中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25
[6]
场效应晶体管 [P]. 
约翰内斯·A·M·德波特 .
中国专利 :CN113555355A ,2021-10-26
[7]
场效应晶体管 [P]. 
李珉贤 ;
薛珉洙 ;
赵连柱 ;
申铉振 .
中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12
[8]
场效应晶体管 [P]. 
田中健一郎 ;
上田哲三 .
中国专利 :CN103003930B ,2013-03-27
[9]
场效应晶体管 [P]. 
佐佐木公平 .
中国专利 :CN111164740A ,2020-05-15
[10]
场效应晶体管 [P]. 
天清宗山 ;
户塚正裕 .
中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06