场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080033086.8

申请日：

2010-10-20

公开(公告)号：

CN102473646A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

藤川一洋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L21337

IPC分类号：

H01L21338 H01L21768 H01L2941 H01L2978 H01L29808 H01L29812

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

韩峰;孙志湧

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723241640 IPC(主分类):H01L 21/337 专利申请号:2010800330868 申请公布日:20120523
2012-05-23	公开	公开
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282310199 IPC(主分类):H01L 21/337 专利申请号:2010800330868 申请日:20101020

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12

[2]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

[3]

场效应晶体管 [P].

渡边伸介 .

中国专利 :CN112753104A ,2021-05-04

[4]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27

[5]

场效应晶体管 [P].

高谷秀史 .

日本专利 :CN119234316A ,2024-12-31

[6]

场效应晶体管 [P].

渡边伸介 .

日本专利 :CN112753104B ,2024-02-23

[7]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN102934232B ,2013-02-13

[8]

场效应晶体管 [P].

星真一 ;

伊藤正纪 ;

大来英之 ;

丸井俊治 .

中国专利 :CN101299437A ,2008-11-05

[9]

场效应晶体管 [P].

池田圭司 ;

入沢寿史 ;

沼田敏典 ;

手塚勉 .

中国专利 :CN102694026A ,2012-09-26

[10]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN110246898A ,2019-09-17

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