场效应晶体管

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专利类型
发明
申请号
CN200810092500.7
申请日
2008-04-18
公开(公告)号
CN101299437A
公开(公告)日
2008-11-05
发明(设计)人
星真一 伊藤正纪 大来英之 丸井俊治
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L29772
IPC分类号
H01L29778 H01L2978 H01L2906
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司
代理人
黄纶伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管 [P]. 
藤川一洋 .
中国专利 :CN102473646A ,2012-05-23
[2]
场效应晶体管 [P]. 
李珉贤 ;
薛珉洙 ;
赵连柱 ;
申铉振 .
中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12
[3]
场效应晶体管 [P]. 
天清宗山 ;
户塚正裕 .
中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06
[4]
场效应晶体管 [P]. 
渡边伸介 .
中国专利 :CN112753104A ,2021-05-04
[5]
场效应晶体管 [P]. 
竹村保彦 .
中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27
[6]
场效应晶体管 [P]. 
高谷秀史 .
日本专利 :CN119234316A ,2024-12-31
[7]
场效应晶体管 [P]. 
渡边伸介 .
日本专利 :CN112753104B ,2024-02-23
[8]
场效应晶体管 [P]. 
竹村保彦 .
中国专利 :CN102934232B ,2013-02-13
[9]
场效应晶体管 [P]. 
池田圭司 ;
入沢寿史 ;
沼田敏典 ;
手塚勉 .
中国专利 :CN102694026A ,2012-09-26
[10]
场效应晶体管 [P]. 
坂直树 ;
冈元大作 ;
田中秀树 .
中国专利 :CN110246898A ,2019-09-17