多指栅碳纳米管场效应晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200880003634.5
申请日
2008-01-29
公开(公告)号
CN101669196A
公开(公告)日
2010-03-10
发明(设计)人
Z·于 P·J·伯尔克 S·麦基南 D·王
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
代理机构
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人
赵蓉民
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
垂直碳纳米管场效应晶体管 [P]. 
古川俊治 ;
斯蒂芬·J·霍尔姆斯 ;
马克·C·哈吉 ;
戴维·V·霍拉克 ;
查尔斯·W·考伯格三世 ;
彼德·H·米切尔 ;
拉里·A·内斯比特 .
中国专利 :CN1638066A ,2005-07-13
[2]
鳍式碳纳米管场效应晶体管 [P]. 
杨湛 ;
黄栋梁 ;
陈涛 ;
刘会聪 ;
王蓬勃 ;
张略 ;
金国庆 ;
孙立宁 .
中国专利 :CN205582971U ,2016-09-14
[3]
碳纳米管场效应晶体管的接触构型加工方法及场效应晶体管 [P]. 
金传洪 ;
李奕辰 .
中国专利 :CN119789735A ,2025-04-08
[4]
调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法 [P]. 
韩杰 .
中国专利 :CN117729781A ,2024-03-19
[5]
基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管 [P]. 
陈江钗 ;
吴泽文 ;
龚奎 .
中国专利 :CN207676911U ,2018-07-31
[6]
绝缘栅场效应晶体管 [P]. 
曼弗雷德·豪夫 ;
马克思·G·莱维 ;
维克托·R·纳斯塔西 .
中国专利 :CN1090821C ,1998-03-04
[7]
由碳纳米管构成沟道的场效应晶体管 [P]. 
二瓶史行 .
中国专利 :CN1332450C ,2004-11-17
[8]
碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法 [P]. 
陈长鑫 ;
胡林 ;
张亚非 ;
潘晓艳 ;
张伟 .
中国专利 :CN101540285B ,2009-09-23
[9]
双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管 [P]. 
许高斌 ;
陈兴 ;
周琪 ;
王鹏 ;
常永嘉 ;
汪祖民 .
中国专利 :CN202127020U ,2012-01-25
[10]
场效应晶体管 [P]. 
杨心翮 ;
柳鹏 ;
姜开利 ;
范守善 .
中国专利 :CN113130620A ,2021-07-16