由碳纳米管构成沟道的场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02816663.9

申请日：

2002-06-25

公开(公告)号：

CN1332450C

公开(公告)日：

2004-11-17

发明(设计)人：

二瓶史行

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

栾本生;叶恺东

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101620798610 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL028166639 申请日:20020625 授权公告日:20070815 终止日期:20140625
2004-11-17	公开	公开
2005-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-15	授权	授权

共 50 条

[1]

由碳纳米管构成沟道的多沟道场效应晶体管的制造方法 [P].

张亚非 ;

陈长鑫 ;

刘丽月 .

中国专利 :CN100367480C ,2005-11-16

[2]

垂直碳纳米管场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

斯蒂芬·J·霍尔姆斯 ;

马克·C·哈吉 ;

戴维·V·霍拉克 ;

查尔斯·W·考伯格三世 ;

彼德·H·米切尔 ;

拉里·A·内斯比特 .

中国专利 :CN1638066A ,2005-07-13

[3]

鳍式碳纳米管场效应晶体管 [P].

杨湛 ;

黄栋梁 ;

陈涛 ;

刘会聪 ;

王蓬勃 ;

张略 ;

金国庆 ;

孙立宁 .

中国专利 :CN205582971U ,2016-09-14

[4]

基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管 [P].

陈江钗 ;

吴泽文 ;

龚奎 .

中国专利 :CN207676911U ,2018-07-31

[5]

碳纳米管场效应晶体管的接触构型加工方法及场效应晶体管 [P].

金传洪 ;

李奕辰 .

中国专利 :CN119789735A ,2025-04-08

[6]

多指栅碳纳米管场效应晶体管 [P].

Z·于 ;

P·J·伯尔克 ;

S·麦基南 ;

D·王 .

中国专利 :CN101669196A ,2010-03-10

[7]

碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法 [P].

陈长鑫 ;

胡林 ;

张亚非 ;

潘晓艳 ;

张伟 .

中国专利 :CN101540285B ,2009-09-23

[8]

调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN117729781A ,2024-03-19

[9]

场效应晶体管 [P].

竹中功 ;

麻埜和则 ;

石仓幸治 .

中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24

[10]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

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