碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910049406.8

申请日：

2009-04-16

公开(公告)号：

CN101540285B

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

陈长鑫胡林张亚非潘晓艳张伟

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21208 H01L213065 C25D1500

代理机构：

上海交达专利事务所 31201

代理人：

王锡麟;王桂忠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20090416 授权公告日:20100728 终止日期:20170416
2010-07-28	授权	授权
2009-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直碳纳米管场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

斯蒂芬·J·霍尔姆斯 ;

马克·C·哈吉 ;

戴维·V·霍拉克 ;

查尔斯·W·考伯格三世 ;

彼德·H·米切尔 ;

拉里·A·内斯比特 .

中国专利 :CN1638066A ,2005-07-13

[2]

柔性碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法 [P].

胡少坚 ;

郭奥 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN104716138A ,2015-06-17

[3]

碳纳米管场效应晶体管的接触构型加工方法及场效应晶体管 [P].

金传洪 ;

李奕辰 .

中国专利 :CN119789735A ,2025-04-08

[4]

鳍式碳纳米管场效应晶体管 [P].

杨湛 ;

黄栋梁 ;

陈涛 ;

刘会聪 ;

王蓬勃 ;

张略 ;

金国庆 ;

孙立宁 .

中国专利 :CN205582971U ,2016-09-14

[5]

基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管 [P].

陈江钗 ;

吴泽文 ;

龚奎 .

中国专利 :CN207676911U ,2018-07-31

[6]

调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN117729781A ,2024-03-19

[7]

碳纳米管薄膜悬空的场效应晶体管及晶体管制造方法 [P].

蔡金钟 ;

孙连峰 ;

任红轩 ;

池建义 .

中国专利 :CN113725362A ,2021-11-30

[8]

多指栅碳纳米管场效应晶体管 [P].

Z·于 ;

P·J·伯尔克 ;

S·麦基南 ;

D·王 .

中国专利 :CN101669196A ,2010-03-10

[9]

由碳纳米管构成沟道的场效应晶体管 [P].

二瓶史行 .

中国专利 :CN1332450C ,2004-11-17

[10]

一种制备碳纳米管场效应晶体管的方法 [P].

蓝河 ;

魏勤 ;

李胜夏 .

中国专利 :CN108417714A ,2018-08-17

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