碳纳米管薄膜悬空的场效应晶体管及晶体管制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010450348.6

申请日：

2020-05-25

公开(公告)号：

CN113725362A

公开(公告)日：

2021-11-30

发明(设计)人：

蔡金钟孙连峰任红轩池建义

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5110 H01L5140 H01L5130

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张秀程

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20200525
2021-11-30	公开	公开

共 50 条

[1]

碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法 [P].

陈长鑫 ;

胡林 ;

张亚非 ;

潘晓艳 ;

张伟 .

中国专利 :CN101540285B ,2009-09-23

[2]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[3]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[4]

场效应晶体管制造方法及场效应晶体管 [P].

李伟 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN109643655B ,2019-04-16

[5]

柔性碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法 [P].

胡少坚 ;

郭奥 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN104716138A ,2015-06-17

[6]

垂直碳纳米管场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

斯蒂芬·J·霍尔姆斯 ;

马克·C·哈吉 ;

戴维·V·霍拉克 ;

查尔斯·W·考伯格三世 ;

彼德·H·米切尔 ;

拉里·A·内斯比特 .

中国专利 :CN1638066A ,2005-07-13

[7]

场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法 [P].

相马充 .

中国专利 :CN114823869A ,2022-07-29

[8]

碳纳米管场效应晶体管的接触构型加工方法及场效应晶体管 [P].

金传洪 ;

李奕辰 .

中国专利 :CN119789735A ,2025-04-08

[9]

一种悬空碳纳米管场效应晶体管及其制备方法 [P].

冯哲圣 ;

廖小涵 ;

黄燕 ;

王焱 .

中国专利 :CN113193115A ,2021-07-30

[10]

场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P].

A·库马尔 .

中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20

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