半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97190576.2

申请日：

1997-05-29

公开(公告)号：

CN1194728A

公开(公告)日：

1998-09-30

发明(设计)人：

阿部弘光

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利代理有限责任公司

代理人：

张祥龄;刘晓峰

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-10-14	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004432692 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL971905762 申请日:19970529 授权公告日:20030716
1998-09-30	公开	公开
2003-07-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

赤池康彦 ;

古川和由 .

中国专利 :CN1199291C ,2002-05-01

[2]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

友田胜宽 .

中国专利 :CN101752488A ,2010-06-23

[3]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN101939860A ,2011-01-05

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN102124579B ,2011-07-13

[5]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

文智炯 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102044613B ,2011-05-04

[6]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102044609A ,2011-05-04

[7]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN102106007A ,2011-06-22

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

田嶋未来雄 ;

多田善纪 .

中国专利 :CN100557836C ,2008-06-11

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

吴昌勋 ;

崔熙石 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102044611B ,2011-05-04

[10]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

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