半导体发光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010250596.2

申请日：

2010-08-05

公开(公告)号：

CN102044613B

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

丁焕熙李尚烈宋俊午文智炯崔光基

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3346 H01L3322

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;吴鹏章

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/44 登记生效日:20210825 变更事项:专利权人变更前权利人:LG伊诺特有限公司变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:江苏省苏州太仓市常胜北路168号
2011-05-04	公开	公开
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101352721400 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2010102505962 申请日:20100805
2015-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

友田胜宽 .

中国专利 :CN101752488A ,2010-06-23

[2]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN101939860A ,2011-01-05

[3]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN102124579B ,2011-07-13

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

赤池康彦 ;

古川和由 .

中国专利 :CN1199291C ,2002-05-01

[5]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102044609A ,2011-05-04

[6]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN102106007A ,2011-06-22

[7]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

阿部弘光 .

中国专利 :CN1194728A ,1998-09-30

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

田嶋未来雄 ;

多田善纪 .

中国专利 :CN100557836C ,2008-06-11

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

吴昌勋 ;

崔熙石 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102044611B ,2011-05-04

[10]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

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