半导体激光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02160654.4

申请日：

2002-12-10

公开(公告)号：

CN1249870C

公开(公告)日：

2003-06-25

发明(设计)人：

林元泽林时钟

申请人：

申请人地址：

韩国首尔市

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-06-25	公开	公开
2016-02-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101644375502 IPC(主分类):H01S 5/00 专利号:ZL021606544 申请日:20021210 授权公告日:20060405 终止日期:20141210
2003-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光器件制造方法和半导体激光器件 [P].

竹冈忠士 ;

石仓卓郎 .

中国专利 :CN100585968C ,2006-05-17

[2]

半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 [P].

丹下贵志 ;

冨谷茂隆 .

中国专利 :CN102714393A ,2012-10-03

[3]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

车正浩 ;

金圣九 ;

申东宰 ;

申庸确 ;

河镜虎 .

中国专利 :CN110061418A ,2019-07-26

[4]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

车正浩 ;

金圣九 ;

申东宰 ;

申庸确 ;

河镜虎 .

韩国专利 :CN110061418B ,2024-08-06

[5]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

广山良治 ;

野村康彦 ;

古沢浩太郎 ;

竹内邦生 ;

冈本重之 .

中国专利 :CN1290055A ,2001-04-04

[6]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

尹相福 .

中国专利 :CN1578026A ,2005-02-09

[7]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

八木哲哉 .

中国专利 :CN101515703A ,2009-08-26

[8]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

和田一彦 ;

宫嵜启介 ;

森本泰司 ;

上田祯亮 ;

辰巳正毅 .

中国专利 :CN1320712C ,2005-02-09

[9]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

渡边昌规 .

中国专利 :CN1225825C ,2004-05-12

[10]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

大岛升 .

中国专利 :CN1213526C ,2003-07-09

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