半导体激光器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910118503.8

申请日：

2009-02-16

公开(公告)号：

CN101515703A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

八木哲哉

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S5028

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

何欣亭;王忠忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-26	公开	公开
2012-03-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101310727176 IPC(主分类):H01S 5/028 专利申请号:2009101185038 公开日:20090826

共 50 条

[1]

半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 [P].

丹下贵志 ;

冨谷茂隆 .

中国专利 :CN102714393A ,2012-10-03

[2]

半导体激光器件制造方法和半导体激光器件 [P].

竹冈忠士 ;

石仓卓郎 .

中国专利 :CN100585968C ,2006-05-17

[3]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

车正浩 ;

金圣九 ;

申东宰 ;

申庸确 ;

河镜虎 .

中国专利 :CN110061418A ,2019-07-26

[4]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

林元泽 ;

林时钟 .

中国专利 :CN1249870C ,2003-06-25

[5]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

车正浩 ;

金圣九 ;

申东宰 ;

申庸确 ;

河镜虎 .

韩国专利 :CN110061418B ,2024-08-06

[6]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

广山良治 ;

野村康彦 ;

古沢浩太郎 ;

竹内邦生 ;

冈本重之 .

中国专利 :CN1290055A ,2001-04-04

[7]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

尹相福 .

中国专利 :CN1578026A ,2005-02-09

[8]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

和田一彦 ;

宫嵜启介 ;

森本泰司 ;

上田祯亮 ;

辰巳正毅 .

中国专利 :CN1320712C ,2005-02-09

[9]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

渡边昌规 .

中国专利 :CN1225825C ,2004-05-12

[10]

半导体激光器件及其制造方法 [P].

大岛升 .

中国专利 :CN1213526C ,2003-07-09

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