制造沟槽晶体管的方法及相应的沟槽晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610144737.6

申请日：

2006-09-29

公开(公告)号：

CN1941300A

公开(公告)日：

2007-04-04

发明(设计)人：

R·卢伊坎 H·－P·莫尔 M·波普 T·施洛瑟 M·斯特拉瑟 R·韦斯

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘华联

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-04	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法 [P].

F.希尔勒 ;

M.佩尔茨尔 .

中国专利 :CN102856379A ,2013-01-02

[2]

沟槽晶体管器件 [P].

A·菲利波 ;

J·G·拉文 ;

C·耶格 ;

F·沃尔特 ;

F·D·普菲尔施 ;

A·维莱 .

中国专利 :CN104952925B ,2015-09-30

[3]

沟槽晶体管的制造方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956489B ,2013-03-06

[4]

沟槽DMOS晶体管结构的制造方法 [P].

理查德·A·布朗夏尔 .

中国专利 :CN100438069C ,2005-08-10

[5]

沟槽DMOS晶体管结构的制造方法 [P].

理查德·A·布朗夏尔 .

中国专利 :CN101452857A ,2009-06-10

[6]

沟槽式晶体管 [P].

D·斯霍尔滕 ;

K·埃耶斯 ;

W·法伊勒 ;

S·施魏格尔 ;

J-H·阿尔斯迈尔 ;

C·T·班茨哈夫 .

德国专利 :CN114600254B ,2025-10-31

[7]

沟槽式晶体管 [P].

D·斯霍尔滕 ;

K·埃耶斯 ;

W·法伊勒 ;

S·施魏格尔 ;

J-H·阿尔斯迈尔 ;

C·T·班茨哈夫 .

中国专利 :CN114600254A ,2022-06-07

[8]

晶体管和晶体管的制造方法 [P].

辻幸洋 .

日本专利 :CN118693041A ,2024-09-24

[9]

带有沟槽内ESD结构的沟槽晶体管的制造 [P].

刘雪青 ;

金勤海 ;

雷燮光 ;

王晓彬 ;

李文雯 ;

管灵鹏 ;

马督儿·博德 ;

王健 ;

谢卡尔·拉玛莫西 .

加拿大专利 :CN121237782A ,2025-12-30

[10]

沟槽式晶体管 [P].

周明弘 .

中国专利 :CN110148591A ,2019-08-20

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