沟槽DMOS晶体管结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810169917.9

申请日：

2003-05-13

公开(公告)号：

CN101452857A

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

理查德·A·布朗夏尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘光明;穆德骏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101730558399 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2008101699179 申请日:20030513 授权公告日:20110406 终止日期:20160513
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽DMOS晶体管结构的制造方法 [P].

理查德·A·布朗夏尔 .

中国专利 :CN100438069C ,2005-08-10

[2]

制造沟槽栅DMOS晶体管的方法 [P].

苏根政 ;

石甫渊 .

中国专利 :CN1426598A ,2003-06-25

[3]

具有改进沟槽结构的沟槽DMOS晶体管 [P].

苏根政 ;

石甫渊 ;

崔炎曼 .

中国专利 :CN1910757A ,2007-02-07

[4]

制造沟槽晶体管的方法及相应的沟槽晶体管 [P].

R·卢伊坎 ;

H·－P·莫尔 ;

M·波普 ;

T·施洛瑟 ;

M·斯特拉瑟 ;

R·韦斯 .

中国专利 :CN1941300A ,2007-04-04

[5]

沟槽型DMOS晶体管及其制造方法 [P].

全昌基 .

中国专利 :CN1148274A ,1997-04-23

[6]

沟槽型DMOS晶体管的制作方法 [P].

王乐 .

中国专利 :CN102034708A ,2011-04-27

[7]

MOS晶体管及用于制造MOS晶体管结构的方法 [P].

福尔克尔·杜德克 .

中国专利 :CN1652321A ,2005-08-10

[8]

DMOS晶体管及其制造方法 [P].

金大荣 .

中国专利 :CN101383289A ,2009-03-11

[9]

沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法 [P].

F.希尔勒 ;

M.佩尔茨尔 .

中国专利 :CN102856379A ,2013-01-02

[10]

一种DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管 [P].

陈定平 ;

张忠华 .

中国专利 :CN104425274A ,2015-03-18

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